SL6800C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL6800C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 22.3 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
SL6800C Datasheet (PDF)
sl6800c.pdf
SL6800CN-Channel Power MosfetProduct Summary30 VVDS90 mRDS(ON)@10V,MAXD2S12 AIDD1G2S2G1FEATURES Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFET Low Gate Charge Low On-resistance Surface Mount PackageAbsolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)Symbol Parameter Rating UnitCommon Ratings (TC=25C Unless Otherwise Noted)VGS Gat
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: BF1201R
History: BF1201R
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918