Справочник MOSFET. SL6800C

 

SL6800C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL6800C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для SL6800C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL6800C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1210K  slkor
 sl6800c.pdf pdf_icon

SL6800C

SL6800CN-Channel Power MosfetProduct Summary30 VVDS90 mRDS(ON)@10V,MAXD2S12 AIDD1G2S2G1FEATURES Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFET Low Gate Charge Low On-resistance Surface Mount PackageAbsolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)Symbol Parameter Rating UnitCommon Ratings (TC=25C Unless Otherwise Noted)VGS Gat

Другие MOSFET... SL5N100 , SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P , SL5N50D , SL607B , SL6244 , IRFP260 , SL80N03 , SL8820 , SL8N100 , SL8N100F , SL8N100H , SL8N100K , SL8N100T , SL90N03R .

History: PTA13N60 | WSD2012DN25 | EFC2K101NUZ | STP210N75F6 | SFF50N20B | FQB4N25TM | UTT80P06

 

 
Back to Top

 


 
.