SL80N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL80N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Encapsulados: TO252
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SL80N03 datasheet
sl80n03.pdf
SL80N03 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 80A D R ( at V = 10V) 6.5mohm DS(ON) GS R ( at V = 5V) 10mohm DS(ON) GS Features High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissi
sl80n10.pdf
SL80N10 N-Channel Power MOSFET General Features VDS =100V,ID =80A RDS(ON)
Otros transistores... SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P , SL5N50D , SL607B , SL6244 , SL6800C , STP75NF75 , SL8820 , SL8N100 , SL8N100F , SL8N100H , SL8N100K , SL8N100T , SL90N03R , SL90N20P .
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