SL80N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SL80N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO252
SL80N03 Datasheet (PDF)
sl80n03.pdf
SL80N03N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V 30V DSI 80A DR ( at V = 10V) 6.5mohm DS(ON) GSR ( at V = 5V) 10mohm DS(ON) GSFeatures High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissi
sl80n10.pdf
SL80N10N-Channel Power MOSFET General Features VDS =100V,ID =80ARDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FQI5P10TU | K2837B | APT6025BVR | IRF7306PBF | RFH25P08 | IPB60R299CPA | BLP065N10GL-D
History: FQI5P10TU | K2837B | APT6025BVR | IRF7306PBF | RFH25P08 | IPB60R299CPA | BLP065N10GL-D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet