SL80N03. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SL80N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SL80N03
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SL80N03 даташит
sl80n03.pdf
SL80N03 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 80A D R ( at V = 10V) 6.5mohm DS(ON) GS R ( at V = 5V) 10mohm DS(ON) GS Features High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissi
sl80n10.pdf
SL80N10 N-Channel Power MOSFET General Features VDS =100V,ID =80A RDS(ON)
Другие MOSFET... SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P , SL5N50D , SL607B , SL6244 , SL6800C , STP75NF75 , SL8820 , SL8N100 , SL8N100F , SL8N100H , SL8N100K , SL8N100T , SL90N03R , SL90N20P .
History: IXFC24N50
History: IXFC24N50
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet