SL8N100F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL8N100F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de SL8N100F MOSFET
SL8N100F Datasheet (PDF)
sl8n100 sl8n100h sl8n100k sl8n100f sl8n100t.pdf

SL8N100 SeriesFeatures Low gate charge Low C (typ 9pF)rss Fast switchin 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS productApplications High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPSAbsolute Ratings (Tc=25)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage V 1000 VDSS8 AI T=25DDrain Current-continu
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History: NP90N04MUK | STB100NF03L-03-1 | RU3065L | STP31N65M5 | SWD7N65D | SM1A11NSUB | AP6P090M
History: NP90N04MUK | STB100NF03L-03-1 | RU3065L | STP31N65M5 | SWD7N65D | SM1A11NSUB | AP6P090M



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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