SL8N100F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL8N100F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 67 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.3 Ohm
Тип корпуса: TO220F
SL8N100F Datasheet (PDF)
..1. Size:4070K slkor
sl8n100 sl8n100h sl8n100k sl8n100f sl8n100t.pdf
sl8n100 sl8n100h sl8n100k sl8n100f sl8n100t.pdf
SL8N100 SeriesFeatures Low gate charge Low C (typ 9pF)rss Fast switchin 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS productApplications High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPSAbsolute Ratings (Tc=25)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage V 1000 VDSS8 AI T=25DDrain Current-continu
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .