SL9N150T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL9N150T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SL9N150T MOSFET
SL9N150T Datasheet (PDF)
sl9n150t.pdf

SL9N150TFeatures 100% avalanche tested Avalanche ruggedness Gate charge minimized Very low intrinsic capacitances High speed switching Very low on-resistanceGeneral DescriptionApplications Welder UPS PV Inverter Switching applicationsElectrical ratingsAbsolute maximum ratingsParameter Symbol Value UnitDrain-source voltage (V = 0) V
Otros transistores... SL8N100T , SL90N03R , SL90N20P , SL90P03G , SL9435A , SL9926A , SL9945 , SL9968 , IRF1010E , SLP170C04D , SLP240C03D , SGB080N055 , SGB100N025 , SGB100N042 , SGL100N025 , SGP080N055 , SGP100N025 .
History: SLF32N20C | SLF5N60C | AFP8206 | SQM18N33-160H | NTTD4401FR2 | CEA6200 | SWT45N65K2F
History: SLF32N20C | SLF5N60C | AFP8206 | SQM18N33-160H | NTTD4401FR2 | CEA6200 | SWT45N65K2F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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