SL9N150T Todos los transistores

SL9N150T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SL9N150T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm

Encapsulados: TO247

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros