SL9N150T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL9N150T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SL9N150T MOSFET
SL9N150T Datasheet (PDF)
sl9n150t.pdf

SL9N150TFeatures 100% avalanche tested Avalanche ruggedness Gate charge minimized Very low intrinsic capacitances High speed switching Very low on-resistanceGeneral DescriptionApplications Welder UPS PV Inverter Switching applicationsElectrical ratingsAbsolute maximum ratingsParameter Symbol Value UnitDrain-source voltage (V = 0) V
Otros transistores... SL8N100T , SL90N03R , SL90N20P , SL90P03G , SL9435A , SL9926A , SL9945 , SL9968 , 4N60 , SLP170C04D , SLP240C03D , SGB080N055 , SGB100N025 , SGB100N042 , SGL100N025 , SGP080N055 , SGP100N025 .
History: MS12N60 | WMM120N04TS | SIF13N50C | TSF5N60M | PSMN6R0-30YLD | NCE0224D | WMM180N03TS
History: MS12N60 | WMM120N04TS | SIF13N50C | TSF5N60M | PSMN6R0-30YLD | NCE0224D | WMM180N03TS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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