SL9N150T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL9N150T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC
trⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
Тип корпуса: TO247
SL9N150T Datasheet (PDF)
sl9n150t.pdf
SL9N150TFeatures 100% avalanche tested Avalanche ruggedness Gate charge minimized Very low intrinsic capacitances High speed switching Very low on-resistanceGeneral DescriptionApplications Welder UPS PV Inverter Switching applicationsElectrical ratingsAbsolute maximum ratingsParameter Symbol Value UnitDrain-source voltage (V = 0) V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918