SL9N150T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL9N150T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 350 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 85 nC
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 300 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.5 Ohm
Тип корпуса: TO247
SL9N150T Datasheet (PDF)
..1. Size:3350K slkor
sl9n150t.pdf
sl9n150t.pdf
SL9N150TFeatures 100% avalanche tested Avalanche ruggedness Gate charge minimized Very low intrinsic capacitances High speed switching Very low on-resistanceGeneral DescriptionApplications Welder UPS PV Inverter Switching applicationsElectrical ratingsAbsolute maximum ratingsParameter Symbol Value UnitDrain-source voltage (V = 0) V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: ISCNH375W
