Справочник MOSFET. SL9N150T

 

SL9N150T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL9N150T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SL9N150T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL9N150T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3350K  slkor
 sl9n150t.pdf pdf_icon

SL9N150T

SL9N150TFeatures 100% avalanche tested Avalanche ruggedness Gate charge minimized Very low intrinsic capacitances High speed switching Very low on-resistanceGeneral DescriptionApplications Welder UPS PV Inverter Switching applicationsElectrical ratingsAbsolute maximum ratingsParameter Symbol Value UnitDrain-source voltage (V = 0) V

Другие MOSFET... SL8N100T , SL90N03R , SL90N20P , SL90P03G , SL9435A , SL9926A , SL9945 , SL9968 , 4N60 , SLP170C04D , SLP240C03D , SGB080N055 , SGB100N025 , SGB100N042 , SGL100N025 , SGP080N055 , SGP100N025 .

History: NCE30H11K

 

 
Back to Top

 


 
.