SGB080N055 Todos los transistores

SGB080N055 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGB080N055

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 179 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 99 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm

Encapsulados: TO263

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros