Справочник MOSFET. SGB080N055

 

SGB080N055 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SGB080N055
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SGB080N055

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SGB080N055 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:918K  cn super semi
 sgb080n055 sgp080n055 sgw080n055.pdf pdf_icon

SGB080N055

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor80V Super Gate Power MOSFETSG*080N055Rev. 1.1Jul. 2021www.supersemi.com.cnSGB080N055/SGP080N055/SGW080N05580V N-Channel MOSFETDescription Features VDS 80VThe SG-MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 120Athat is uniquely optimized to provide the most effic

Другие MOSFET... SL90P03G , SL9435A , SL9926A , SL9945 , SL9968 , SL9N150T , SLP170C04D , SLP240C03D , AON7506 , SGB100N025 , SGB100N042 , SGL100N025 , SGP080N055 , SGP100N025 , SGP100N042 , SGT080N055 , SGW080N055 .

History: KIA2N60H-252 | 2SK1062 | NCE30NP1812K | ME120N10T | 2SK2634

 

 
Back to Top

 


 
.