SGT080N055 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT080N055
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 179 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 58 nC
Tiempo de subida (tr): 99 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 640 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SGT080N055
SGT080N055 Datasheet (PDF)
sgt080n055.pdf
SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor80V Super Gate Power MOSFETSGT080N055Rev. 1.0Sep. 2021www.supersemi.com.cnSGT080N05580V N-Channel MOSFETDescription Features VDS 80VThe SG-MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 120Athat is uniquely optimized to provide the most efficient high Typ. RD
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History: WMO053NV8HGS