SGT080N055 - описание и поиск аналогов

 

SGT080N055. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SGT080N055

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SGT080N055

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SGT080N055 даташит

 ..1. Size:759K  cn super semi
 sgt080n055.pdf pdf_icon

SGT080N055

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 80V Super Gate Power MOSFET SGT080N055 Rev. 1.0 Sep. 2021 www.supersemi.com.cn SGT080N055 80V N-Channel MOSFET Description Features VDS 80V The SG-MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 120A that is uniquely optimized to provide the most efficient high Typ. RD

Другие MOSFET... SLP240C03D , SGB080N055 , SGB100N025 , SGB100N042 , SGL100N025 , SGP080N055 , SGP100N025 , SGP100N042 , IRFP450 , SGW080N055 , SGW100N025 , SSA50R060S , SSA65R190S , SSB20N60S , SSB60R075SFD2 , SSB60R099S2E , SSB60R099SFD .

History: GP1M003A080XG | IRLHS6242PBF | WM03N58M2 | TK35A65W5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.