Справочник MOSFET. SGT080N055

 

SGT080N055 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SGT080N055
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SGT080N055

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SGT080N055 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:759K  cn super semi
 sgt080n055.pdf pdf_icon

SGT080N055

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor80V Super Gate Power MOSFETSGT080N055Rev. 1.0Sep. 2021www.supersemi.com.cnSGT080N05580V N-Channel MOSFETDescription Features VDS 80VThe SG-MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 120Athat is uniquely optimized to provide the most efficient high Typ. RD

Другие MOSFET... SLP240C03D , SGB080N055 , SGB100N025 , SGB100N042 , SGL100N025 , SGP080N055 , SGP100N025 , SGP100N042 , IRF1407 , SGW080N055 , SGW100N025 , SSA50R060S , SSA65R190S , SSB20N60S , SSB60R075SFD2 , SSB60R099S2E , SSB60R099SFD .

 

 
Back to Top

 


 
.