SSA65R190S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSA65R190S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Encapsulados: TO3P
Búsqueda de reemplazo de SSA65R190S MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SSA65R190S datasheet
ssw65r190s ssa65r190s.pdf
SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 650V Super Junction Power Transistor SS*65R190S Rev.1.3 Oct. 2023 www.supersemi.com.cn SSW65R190S/SSA65R190S 650V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing an advanced charge balance mechanism for
Otros transistores... SGL100N025 , SGP080N055 , SGP100N025 , SGP100N042 , SGT080N055 , SGW080N055 , SGW100N025 , SSA50R060S , 4N60 , SSB20N60S , SSB60R075SFD2 , SSB60R099S2E , SSB60R099SFD , SSB60R105SFD2 , SSB60R140SFD , SSB65R090S2 , SSB65R190S .
History: BSZ110N06NS3G
History: BSZ110N06NS3G
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet
