SSA65R190S Todos los transistores

 

SSA65R190S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSA65R190S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO3P

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SSA65R190S datasheet

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SSA65R190S

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 650V Super Junction Power Transistor SS*65R190S Rev.1.3 Oct. 2023 www.supersemi.com.cn SSW65R190S/SSA65R190S 650V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing an advanced charge balance mechanism for

Otros transistores... SGL100N025 , SGP080N055 , SGP100N025 , SGP100N042 , SGT080N055 , SGW080N055 , SGW100N025 , SSA50R060S , 4N60 , SSB20N60S , SSB60R075SFD2 , SSB60R099S2E , SSB60R099SFD , SSB60R105SFD2 , SSB60R140SFD , SSB65R090S2 , SSB65R190S .

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