Справочник MOSFET. SSA65R190S

 

SSA65R190S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSA65R190S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SSA65R190S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSA65R190S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1069K  cn super semi
 ssw65r190s ssa65r190s.pdf pdf_icon

SSA65R190S

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor650V Super Junction Power TransistorSS*65R190SRev.1.3Oct. 2023www.supersemi.com.cnSSW65R190S/SSA65R190S650V N-Channel MOSFETDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizing an advanced charge balance mechanism for

Другие MOSFET... SGL100N025 , SGP080N055 , SGP100N025 , SGP100N042 , SGT080N055 , SGW080N055 , SGW100N025 , SSA50R060S , 10N65 , SSB20N60S , SSB60R075SFD2 , SSB60R099S2E , SSB60R099SFD , SSB60R105SFD2 , SSB60R140SFD , SSB65R090S2 , SSB65R190S .

 

 
Back to Top

 


 
.