SSA65R190S - описание и поиск аналогов

 

SSA65R190S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSA65R190S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SSA65R190S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSA65R190S даташит

 ..1. Size:1069K  cn super semi
 ssw65r190s ssa65r190s.pdf pdf_icon

SSA65R190S

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 650V Super Junction Power Transistor SS*65R190S Rev.1.3 Oct. 2023 www.supersemi.com.cn SSW65R190S/SSA65R190S 650V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing an advanced charge balance mechanism for

Другие MOSFET... SGL100N025 , SGP080N055 , SGP100N025 , SGP100N042 , SGT080N055 , SGW080N055 , SGW100N025 , SSA50R060S , 4N60 , SSB20N60S , SSB60R075SFD2 , SSB60R099S2E , SSB60R099SFD , SSB60R105SFD2 , SSB60R140SFD , SSB65R090S2 , SSB65R190S .

History: IRLD110PBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.