SSBG65R075SFD2 Todos los transistores

 

SSBG65R075SFD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSBG65R075SFD2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 236 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263-7L
 

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SSBG65R075SFD2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:632K  cn super semi
 ssbg65r075sfd2.pdf pdf_icon

SSBG65R075SFD2

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor650V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySS*65R075SFD2Rev. 1.0Apr. 2023www.supersemi.com.cnSSBG65R075SFD2650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process

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History: TMB80N08A | G12P10K | HFP13N10 | ZXMP7A17G | IRFIZ34GPBF | FQPF12N60CT | BL15N25-A

 

 
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