Справочник MOSFET. SSBG65R075SFD2

 

SSBG65R075SFD2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSBG65R075SFD2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 236 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7L
 

 Аналог (замена) для SSBG65R075SFD2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSBG65R075SFD2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:632K  cn super semi
 ssbg65r075sfd2.pdf pdf_icon

SSBG65R075SFD2

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor650V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySS*65R075SFD2Rev. 1.0Apr. 2023www.supersemi.com.cnSSBG65R075SFD2650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process

Другие MOSFET... SSB80R180S2 , SSB80R240S2 , SSB80R240SFD , SSB80R380S2 , SSB90R160SFD , SSB90R240S2 , SSB90R260S , SSB90R420S2 , NCEP15T14 , SSF20N60S , SSF50R140SFD , SSF60R070S2E , SSF60R075SFD2 , SSF60R099S2E , SSF60R099SFD , SSF60R105SFD2 , SSF60R130S2 .

History: INK011BAP1 | SSPL1042 | FDS6679 | KU310N10P | NCEP080N10F | AMA420N

 

 
Back to Top

 


 
.