SSI60R190S2E Todos los transistores

 

SSI60R190S2E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSI60R190S2E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 145 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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SSI60R190S2E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:624K  cn super semi
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SSI60R190S2E

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor600V Super Junction Power MOSFET Gen-SS*60R190S2ERev. 1.0Aug. 2022www.supersemi.com.cnSSI60R190S2E600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizing an advanced charge b

 8.1. Size:1011K  cn super semi
 ssf60r260s2 ssp60r260s2 ssi60r260s2.pdf pdf_icon

SSI60R190S2E

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor600V Super Junction Power MOSFET Gen-SS*60R260S2Rev. 1.0Jun. 2019www.supersemi.com.cnSSF60R260S2/SSP60R260S2/SSI60R260S2600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizin

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History: SSM452 | SRT045N012HS2 | ISCNH339D | NTR2101PT1G | IRFB4110GPBF | STI33N65M2 | SI4N60L-TA3-T

 

 
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