SSI60R190S2E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSI60R190S2E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 145 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Encapsulados: TO262
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SSI60R190S2E datasheet
ssi60r190s2e.pdf
SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power MOSFET Gen- SS*60R190S2E Rev. 1.0 Aug. 2022 www.supersemi.com.cn SSI60R190S2E 600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing an advanced charge b
ssf60r260s2 ssp60r260s2 ssi60r260s2.pdf
SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power MOSFET Gen- SS*60R260S2 Rev. 1.0 Jun. 2019 www.supersemi.com.cn SSF60R260S2/SSP60R260S2/SSI60R260S2 600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizin
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