Справочник MOSFET. SSI60R190S2E

 

SSI60R190S2E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSI60R190S2E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSI60R190S2E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:624K  cn super semi
 ssi60r190s2e.pdf pdf_icon

SSI60R190S2E

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor600V Super Junction Power MOSFET Gen-SS*60R190S2ERev. 1.0Aug. 2022www.supersemi.com.cnSSI60R190S2E600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizing an advanced charge b

 8.1. Size:1011K  cn super semi
 ssf60r260s2 ssp60r260s2 ssi60r260s2.pdf pdf_icon

SSI60R190S2E

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor600V Super Junction Power MOSFET Gen-SS*60R260S2Rev. 1.0Jun. 2019www.supersemi.com.cnSSF60R260S2/SSP60R260S2/SSI60R260S2600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizin

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDMS0309AS | 2SK3117 | NTMD6N03R2

 

 
Back to Top

 


 
.