SSBG120R080C Todos los transistores

 

SSBG120R080C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSBG120R080C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.104 Ohm

Encapsulados: TO263-7L

 Búsqueda de reemplazo de SSBG120R080C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SSBG120R080C datasheet

 ..1. Size:933K  cn super semi
 ssbg120r080c.pdf pdf_icon

SSBG120R080C

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 1200V SiC Power MOSFET SSBG120R080C Rev. 0.3 Apr. 2023 www.supersemi.com.cn SSBG120R080C 1200V N-Channel SiC Power MOSFET Description Features SiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperature is utilizing a revolutionary semiconductor m

Otros transistores... SSN65R190S2 , SSN65R1K2S2E , SSN65R360S2 , SSP20N60S , SSP50R140SFD , SSP60R070S2E , SSP60R075SFD2 , SSP60R099S2E , IRF530 , SSW120R040C , SSW120R080C , SSZ120R040C , SSZ120R080C , SSP60R099SFD , SSP60R105SFD2 , SSP60R130S2 , SSP60R140SFD .

History: WMB120P06TS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.