SSBG120R080C Todos los transistores

 

SSBG120R080C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSBG120R080C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.104 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263-7L
 

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SSBG120R080C Datasheet (PDF)

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SSBG120R080C

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSilicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor1200V SiC Power MOSFETSSBG120R080CRev. 0.3Apr. 2023www.supersemi.com.cnSSBG120R080C1200V N-Channel SiC Power MOSFETDescription FeaturesSiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperatureis utilizing a revolutionary semiconductor m

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History: NCE55P15I | HSM1641 | SCT10N120 | 50N06G-TF3-T | WMM80R260S | RFH10N45 | 8N80A

 

 
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