SSBG120R080C - описание и поиск аналогов

 

SSBG120R080C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSBG120R080C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.104 Ohm

Тип корпуса: TO263-7L

Аналог (замена) для SSBG120R080C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSBG120R080C даташит

 ..1. Size:933K  cn super semi
 ssbg120r080c.pdf pdf_icon

SSBG120R080C

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 1200V SiC Power MOSFET SSBG120R080C Rev. 0.3 Apr. 2023 www.supersemi.com.cn SSBG120R080C 1200V N-Channel SiC Power MOSFET Description Features SiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperature is utilizing a revolutionary semiconductor m

Другие MOSFET... SSN65R190S2 , SSN65R1K2S2E , SSN65R360S2 , SSP20N60S , SSP50R140SFD , SSP60R070S2E , SSP60R075SFD2 , SSP60R099S2E , IRF530 , SSW120R040C , SSW120R080C , SSZ120R040C , SSZ120R080C , SSP60R099SFD , SSP60R105SFD2 , SSP60R130S2 , SSP60R140SFD .

History: WMB120P06TS | AP65SL380AH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.