SSW120R080C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSW120R080C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.104 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSW120R080C
SSW120R080C Datasheet (PDF)
ssw120r080c.pdf
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