SSW120R080C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSW120R080C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.104 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SSW120R080C MOSFET
SSW120R080C Datasheet (PDF)
ssw120r080c.pdf

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ssw120r040c.pdf

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History: SVS5N70DD2TR | FMV24N25G | NTHD3133PFT1G
History: SVS5N70DD2TR | FMV24N25G | NTHD3133PFT1G



Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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