SSW120R080C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSW120R080C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 22 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 50 nC
Tiempo de subida (tr): 28 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 64 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.104 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSW120R080C
SSW120R080C Datasheet (PDF)
ssw120r080c.pdf
SUPER-SEMISUPER-MOSFETSilicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor1200V SiC Power MOSFETSSW120R080CRev. 0.3Apr. 2023www.supersemi.com.cnSSW120R080C1200V N-Channel SiC Power MOSFETDescription FeaturesSiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperatureis utilizing a revolutionary semiconductor mat
ssw120r040c.pdf
SUPER-SEMISUPER-MOSFETSilicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor1200V SiC Power MOSFETSSW120R040CRev. 0.3Nov. 2022www.supersemi.com.cnSSW120R040C1200V N-Channel SiC Power MOSFETDescription FeaturesSiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperatureis utilizing a revolutionary semiconductor mat
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
