SSW120R080C Todos los transistores

 

SSW120R080C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSW120R080C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.104 Ohm

Encapsulados: TO247

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SSW120R080C datasheet

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SSW120R080C

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 1200V SiC Power MOSFET SSW120R080C Rev. 0.3 Apr. 2023 www.supersemi.com.cn SSW120R080C 1200V N-Channel SiC Power MOSFET Description Features SiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperature is utilizing a revolutionary semiconductor mat

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SSW120R080C

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 1200V SiC Power MOSFET SSW120R040C Rev. 0.3 Nov. 2022 www.supersemi.com.cn SSW120R040C 1200V N-Channel SiC Power MOSFET Description Features SiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperature is utilizing a revolutionary semiconductor mat

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