SSW120R080C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSW120R080C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.104 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SSW120R080C MOSFET
SSW120R080C Datasheet (PDF)
ssw120r080c.pdf

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSilicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor1200V SiC Power MOSFETSSW120R080CRev. 0.3Apr. 2023www.supersemi.com.cnSSW120R080C1200V N-Channel SiC Power MOSFETDescription FeaturesSiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperatureis utilizing a revolutionary semiconductor mat
ssw120r040c.pdf

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History: RU3050L | RU2N65P | FQP2N40 | IRFP340R | WNM2046 | SFG180N10KF | ME08N20
History: RU3050L | RU2N65P | FQP2N40 | IRFP340R | WNM2046 | SFG180N10KF | ME08N20



Liste
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