SSW120R080C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSW120R080C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 22 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
Время нарастания (tr): 28 ns
Выходная емкость (Cd): 64 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.104 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SSW120R080C
SSW120R080C Datasheet (PDF)
ssw120r080c.pdf
SUPER-SEMISUPER-MOSFETSilicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor1200V SiC Power MOSFETSSW120R080CRev. 0.3Apr. 2023www.supersemi.com.cnSSW120R080C1200V N-Channel SiC Power MOSFETDescription FeaturesSiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperatureis utilizing a revolutionary semiconductor mat
ssw120r040c.pdf
SUPER-SEMISUPER-MOSFETSilicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor1200V SiC Power MOSFETSSW120R040CRev. 0.3Nov. 2022www.supersemi.com.cnSSW120R040C1200V N-Channel SiC Power MOSFETDescription FeaturesSiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperatureis utilizing a revolutionary semiconductor mat
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
