SSZ120R080C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSZ120R080C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 64 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.104 Ohm
Encapsulados: TO247-4L
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SSZ120R080C datasheet
ssz120r080c.pdf
SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 1200V SiC Power MOSFET SSZ120R080C Rev. 0.3 Apr. 2023 www.supersemi.com.cn SSZ120R080C 1200V N-Channel SiC Power MOSFET Description Features SiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperature is utilizing a revolutionary semiconductor mat
ssz120r040c.pdf
SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 1200V SiC Power MOSFET SSZ120R040C Rev. 0.3 Nov. 2022 www.supersemi.com.cn SSZ120R040C 1200V N-Channel SiC Power MOSFET Description Features SiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperature is utilizing a revolutionary semiconductor mat
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