Справочник MOSFET. SSZ120R080C

 

SSZ120R080C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSZ120R080C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.104 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4L
 

 Аналог (замена) для SSZ120R080C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSZ120R080C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:985K  cn super semi
 ssz120r080c.pdf pdf_icon

SSZ120R080C

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSilicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor1200V SiC Power MOSFETSSZ120R080CRev. 0.3Apr. 2023www.supersemi.com.cnSSZ120R080C1200V N-Channel SiC Power MOSFETDescription FeaturesSiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperatureis utilizing a revolutionary semiconductor mat

 6.1. Size:805K  cn super semi
 ssz120r040c.pdf pdf_icon

SSZ120R080C

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSilicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor1200V SiC Power MOSFETSSZ120R040CRev. 0.3Nov. 2022www.supersemi.com.cnSSZ120R040C1200V N-Channel SiC Power MOSFETDescription FeaturesSiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperatureis utilizing a revolutionary semiconductor mat

Другие MOSFET... SSP50R140SFD , SSP60R070S2E , SSP60R075SFD2 , SSP60R099S2E , SSBG120R080C , SSW120R040C , SSW120R080C , SSZ120R040C , 20N50 , SSP60R099SFD , SSP60R105SFD2 , SSP60R130S2 , SSP60R140SFD , SSP60R190S2E , SSP60R190SFD2 , SSP60R260S2E , SSP60R280SFD .

History: NCEP12N10AQ | KIA20N50H-220F | SSP65R1K2S2E | WMO15N25T2 | HY3403V | SI2306DS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.