Справочник MOSFET. SSZ120R080C

 

SSZ120R080C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSZ120R080C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.104 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSZ120R080C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:985K  cn super semi
 ssz120r080c.pdf pdf_icon

SSZ120R080C

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSilicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor1200V SiC Power MOSFETSSZ120R080CRev. 0.3Apr. 2023www.supersemi.com.cnSSZ120R080C1200V N-Channel SiC Power MOSFETDescription FeaturesSiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperatureis utilizing a revolutionary semiconductor mat

 6.1. Size:805K  cn super semi
 ssz120r040c.pdf pdf_icon

SSZ120R080C

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSilicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor1200V SiC Power MOSFETSSZ120R040CRev. 0.3Nov. 2022www.supersemi.com.cnSSZ120R040C1200V N-Channel SiC Power MOSFETDescription FeaturesSiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperatureis utilizing a revolutionary semiconductor mat

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STF2454A | DTM4946

 

 
Back to Top

 


 
.