STB434S Todos los transistores

 

STB434S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB434S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 211 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0092 Ohm

Encapsulados: TO263

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STB434S datasheet

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STB434S

Green Product STB/P434S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 9.2 @ VGS=10V TO-220 and TO-263 Package. 60A 40V 11.5 @ VGS=4.5V D G STB SERIES STP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 S (TA=25 C

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STB434S

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STB434S

Green Product STB/P438A a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID High power and current handling capability. 8.5 @ VGS=10V TO-220 & TO-263 package. 40V 60A 11 @ VGS=4.5V S TB S E R IE S S TP S E R IE S TO-263

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STB434S

Green Product STB/P438S a S mHop Microelectronics C orp. Ver1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID High power and current handling capability. 9 @ VGS=10V TO-220 & TO-263 package. 40V 60A 10 @ VGS=4.5V S TB S E R IE S S TP S E R IE S TO-263(DD

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