STB434S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STB434S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 211 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm
Тип корпуса: TO263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STB434S Datasheet (PDF)
stb434s stp434s.pdf

GreenProductSTB/P434SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9.2 @ VGS=10VTO-220 and TO-263 Package.60A40V11.5 @ VGS=4.5VDGSTB SERIESSTP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220S(TA=25C
stb432s stp432s.pdf

STB/P432SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDHigh power and current handling capability.9 @ VGS=10VTO-220 & TO-263 package.40V 60A11 @ VGS=4.5VS TB S E R IE S S TP S E R IE STO-263(DD-PAK) TO-220(TC=25
stb438a stp438a.pdf

GreenProductSTB/P438AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDHigh power and current handling capability.8.5 @ VGS=10VTO-220 & TO-263 package.40V 60A11 @ VGS=4.5VS TB S E R IE S S TP S E R IE STO-263
stb438s stp438s.pdf

GreenProductSTB/P438SaS mHop Microelectronics C orp.Ver1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDHigh power and current handling capability.9 @ VGS=10VTO-220 & TO-263 package.40V 60A10 @ VGS=4.5VS TB S E R IE S S TP S E R IE STO-263(DD
Другие MOSFET... FDS4559 , STB438S , FDS4559F085 , STB438A , FDS4672A , FDS4675F085 , FDS4685 , FDS4897AC , STP65NF06 , FDS4897C , STB432S , FDS4935A , FDS4935BZ , FDS5351 , FDS5670 , FDS5672 , FDS6294 .
History: RU20N65P
History: RU20N65P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet