STB434S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB434S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
Время нарастания (tr): 24 ns
Выходная емкость (Cd): 211 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0092 Ohm
Тип корпуса: TO263
STB434S Datasheet (PDF)
stb434s stp434s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GreenProductSTB/P434SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9.2 @ VGS=10VTO-220 and TO-263 Package.60A40V11.5 @ VGS=4.5VDGSTB SERIESSTP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220S(TA=25C
stb432s stp432s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STB/P432SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDHigh power and current handling capability.9 @ VGS=10VTO-220 & TO-263 package.40V 60A11 @ VGS=4.5VS TB S E R IE S S TP S E R IE STO-263(DD-PAK) TO-220(TC=25
stb438a stp438a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GreenProductSTB/P438AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDHigh power and current handling capability.8.5 @ VGS=10VTO-220 & TO-263 package.40V 60A11 @ VGS=4.5VS TB S E R IE S S TP S E R IE STO-263
stb438s stp438s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GreenProductSTB/P438SaS mHop Microelectronics C orp.Ver1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDHigh power and current handling capability.9 @ VGS=10VTO-220 & TO-263 package.40V 60A10 @ VGS=4.5VS TB S E R IE S S TP S E R IE STO-263(DD
Другие MOSFET... FDS4559 , STB438S , FDS4559F085 , STB438A , FDS4672A , FDS4675F085 , FDS4685 , FDS4897AC , NCEP85T25VD , FDS4897C , STB432S , FDS4935A , FDS4935BZ , FDS5351 , FDS5670 , FDS5672 , FDS6294 .
![STB434S](https://alltransistors.com/images/us.png)
![STB434S](https://alltransistors.com/images/es.png)
![STB434S](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C