SSU65R600S2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSU65R600S2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 80 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 11.8 nC
Tiempo de subida (tr): 26 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 36 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.62 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSU65R600S2
SSU65R600S2 Datasheet (PDF)
sst65r600s2 ssu65r600s2.pdf
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SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor650V Super Junction Power MOSFET Gen-SS*65R600S2Rev. 1.2Sep. 2023www.supersemi.com.cnSST65R600S2/SSU65R600S2650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizing an advance
ssf65r420s2 ssp65r420s2 sst65r420s2 ssu65r420s2.pdf
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SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor650V Super Junction Power MOSFET Gen-SS*65R420S2Rev. 2.1Aug. 2022www.supersemi.com.cnSSF65R420S2/SSP65R420S2/SST65R420S2/SSU65R420S2650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET
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