SSU65R600S2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSU65R600S2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.8 nC
Время нарастания (tr): 26 ns
Выходная емкость (Cd): 36 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.62 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SSU65R600S2
SSU65R600S2 Datasheet (PDF)
sst65r600s2 ssu65r600s2.pdf
SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor650V Super Junction Power MOSFET Gen-SS*65R600S2Rev. 1.2Sep. 2023www.supersemi.com.cnSST65R600S2/SSU65R600S2650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizing an advance
ssf65r420s2 ssp65r420s2 sst65r420s2 ssu65r420s2.pdf
SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor650V Super Junction Power MOSFET Gen-SS*65R420S2Rev. 2.1Aug. 2022www.supersemi.com.cnSSF65R420S2/SSP65R420S2/SST65R420S2/SSU65R420S2650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
