SSU90R1K5S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSU90R1K5S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de SSU90R1K5S MOSFET
SSU90R1K5S Datasheet (PDF)
ssf90r1k5s ssp90r1k5s sst90r1k5s ssu90r1k5s.pdf

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor900V Super Junction Power MOSFETSS*90R1K5SRev. 1.2Aug. 2019www.supersemi.com.cnSeptember, 2013SJ-FETSSF90R1K5S/SSP90R1K5S/SST90R1K5S/SSU90R1K5S900V N-Channel MOSFETDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizi
Otros transistores... SST90R1K5S , SST90R420S2 , SST90R650S2 , SST90R900S2 , SSU65R420S2 , SSU65R600S2 , SSU70R1K2S2E , SSU70R600S2 , K3569 , SSW4668 , SSW50R060S , SSW60R028S2E , SSW60R030SFD2 , SSW60R040S2E , SSW60R043SFD2 , SSW60R070S2E , SSW60R075SFD2 .
History: IPD80R1K4CE | HUF75842S3ST | PTP23N10A | 2SK2533 | HSP15810C | AM7411P | RUH1H220R
History: IPD80R1K4CE | HUF75842S3ST | PTP23N10A | 2SK2533 | HSP15810C | AM7411P | RUH1H220R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg