SSU90R1K5S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSU90R1K5S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSU90R1K5S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSU90R1K5S даташит

 ..1. Size:1120K  cn super semi
 ssf90r1k5s ssp90r1k5s sst90r1k5s ssu90r1k5s.pdf pdf_icon

SSU90R1K5S

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 900V Super Junction Power MOSFET SS*90R1K5S Rev. 1.2 Aug. 2019 www.supersemi.com.cn September, 2013 SJ-FET SSF90R1K5S/SSP90R1K5S/SST90R1K5S/SSU90R1K5S 900V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizi

Другие IGBT... SST90R1K5S, SST90R420S2, SST90R650S2, SST90R900S2, SSU65R420S2, SSU65R600S2, SSU70R1K2S2E, SSU70R600S2, IRF4905, SSW4668, SSW50R060S, SSW60R028S2E, SSW60R030SFD2, SSW60R040S2E, SSW60R043SFD2, SSW60R070S2E, SSW60R075SFD2