SSW4668 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSW4668  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 507 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 860 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm

Encapsulados: TO247

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SSW4668 datasheet

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SSW4668

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 200V Power MOSFET SSW4668 Rev. 1.0 Nov. 2023 www.supersemi.com.cn SSW4668 200V N-Channel Power MOSFET Description Features VDS 200V The MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 130A that is uniquely optimized to provide the most efficient high Typ. RDS(on) = 9.1m freque

Otros transistores... SST90R420S2, SST90R650S2, SST90R900S2, SSU65R420S2, SSU65R600S2, SSU70R1K2S2E, SSU70R600S2, SSU90R1K5S, 2N7000, SSW50R060S, SSW60R028S2E, SSW60R030SFD2, SSW60R040S2E, SSW60R043SFD2, SSW60R070S2E, SSW60R075SFD2, SSW60R099S2E