SSW4668 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSW4668
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 507 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 860 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSW4668
Principales características: SSW4668
ssw4668.pdf
SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 200V Power MOSFET SSW4668 Rev. 1.0 Nov. 2023 www.supersemi.com.cn SSW4668 200V N-Channel Power MOSFET Description Features VDS 200V The MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 130A that is uniquely optimized to provide the most efficient high Typ. RDS(on) = 9.1m freque
Otros transistores... SST90R420S2 , SST90R650S2 , SST90R900S2 , SSU65R420S2 , SSU65R600S2 , SSU70R1K2S2E , SSU70R600S2 , SSU90R1K5S , AON7408 , SSW50R060S , SSW60R028S2E , SSW60R030SFD2 , SSW60R040S2E , SSW60R043SFD2 , SSW60R070S2E , SSW60R075SFD2 , SSW60R099S2E .
History: DSD270N12N3
History: DSD270N12N3
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
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