SSW4668 Todos los transistores

 

SSW4668 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSW4668
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 507 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 860 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSW4668

 

Principales características: SSW4668

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SSW4668

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 200V Power MOSFET SSW4668 Rev. 1.0 Nov. 2023 www.supersemi.com.cn SSW4668 200V N-Channel Power MOSFET Description Features VDS 200V The MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 130A that is uniquely optimized to provide the most efficient high Typ. RDS(on) = 9.1m freque

Otros transistores... SST90R420S2 , SST90R650S2 , SST90R900S2 , SSU65R420S2 , SSU65R600S2 , SSU70R1K2S2E , SSU70R600S2 , SSU90R1K5S , AON7408 , SSW50R060S , SSW60R028S2E , SSW60R030SFD2 , SSW60R040S2E , SSW60R043SFD2 , SSW60R070S2E , SSW60R075SFD2 , SSW60R099S2E .

History: DSD270N12N3

 

 
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