SSW4668 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSW4668
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 507 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 130 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 202 nC
Tiempo de subida (tr): 105 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 860 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0098 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSW4668
SSW4668 Datasheet (PDF)
ssw4668.pdf
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SUPER-SEMISUPER-MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor200V Power MOSFETSSW4668Rev. 1.0Nov. 2023www.supersemi.com.cnSSW4668200V N-Channel Power MOSFETDescription Features VDS 200VThe MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 130Athat is uniquely optimized to provide the most efficient high Typ. RDS(on) = 9.1mfreque
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