SSW4668 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSW4668
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 507 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 202 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 860 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSW4668

SSW4668 Datasheet (PDF)

..1. Size:784K cn super semi
ssw4668.pdf

SUPER-SEMISUPER-MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor200V Power MOSFETSSW4668Rev. 1.0Nov. 2023www.supersemi.com.cnSSW4668200V N-Channel Power MOSFETDescription Features VDS 200VThe MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 130Athat is uniquely optimized to provide the most efficient high Typ. RDS(on) = 9.1mfreque

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: