SSW4668 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSW4668
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 507 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 860 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SSW4668 MOSFET
SSW4668 Datasheet (PDF)
ssw4668.pdf

SUPER-SEMISUPER-MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor200V Power MOSFETSSW4668Rev. 1.0Nov. 2023www.supersemi.com.cnSSW4668200V N-Channel Power MOSFETDescription Features VDS 200VThe MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 130Athat is uniquely optimized to provide the most efficient high Typ. RDS(on) = 9.1mfreque
Otros transistores... SST90R420S2 , SST90R650S2 , SST90R900S2 , SSU65R420S2 , SSU65R600S2 , SSU70R1K2S2E , SSU70R600S2 , SSU90R1K5S , 2N7000 , SSW50R060S , SSW60R028S2E , SSW60R030SFD2 , SSW60R040S2E , SSW60R043SFD2 , SSW60R070S2E , SSW60R075SFD2 , SSW60R099S2E .
History: HUFA76429D3STF085 | IRFB61N15D | CS25N06B3 | KIA6035A | WMJ28N60C4 | R6007KNJ | SFM9110TF
History: HUFA76429D3STF085 | IRFB61N15D | CS25N06B3 | KIA6035A | WMJ28N60C4 | R6007KNJ | SFM9110TF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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