Справочник MOSFET. SSW4668

 

SSW4668 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSW4668
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 507 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW4668 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:784K  cn super semi
 ssw4668.pdf pdf_icon

SSW4668

SUPER-SEMISUPER-MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor200V Power MOSFETSSW4668Rev. 1.0Nov. 2023www.supersemi.com.cnSSW4668200V N-Channel Power MOSFETDescription Features VDS 200VThe MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 130Athat is uniquely optimized to provide the most efficient high Typ. RDS(on) = 9.1mfreque

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: RJK0381DPA | P0908ATF | 2SK2424 | 2SK4108 | JCS2N60MB | CM20N50P | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.