Справочник MOSFET. SSW4668

 

SSW4668 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSW4668
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 507 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SSW4668

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW4668 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:784K  cn super semi
 ssw4668.pdf pdf_icon

SSW4668

SUPER-SEMISUPER-MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor200V Power MOSFETSSW4668Rev. 1.0Nov. 2023www.supersemi.com.cnSSW4668200V N-Channel Power MOSFETDescription Features VDS 200VThe MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 130Athat is uniquely optimized to provide the most efficient high Typ. RDS(on) = 9.1mfreque

Другие MOSFET... SST90R420S2 , SST90R650S2 , SST90R900S2 , SSU65R420S2 , SSU65R600S2 , SSU70R1K2S2E , SSU70R600S2 , SSU90R1K5S , 2N7000 , SSW50R060S , SSW60R028S2E , SSW60R030SFD2 , SSW60R040S2E , SSW60R043SFD2 , SSW60R070S2E , SSW60R075SFD2 , SSW60R099S2E .

History: 2SJ605-ZJ | SWI6N65K | APT10035LFLL | STU11N65M5 | 2SK1678 | IRLP3034

 

 
Back to Top

 


 
.