SSW4668 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSW4668  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 507 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSW4668

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW4668 даташит

 ..1. Size:784K  cn super semi
 ssw4668.pdf pdf_icon

SSW4668

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 200V Power MOSFET SSW4668 Rev. 1.0 Nov. 2023 www.supersemi.com.cn SSW4668 200V N-Channel Power MOSFET Description Features VDS 200V The MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 130A that is uniquely optimized to provide the most efficient high Typ. RDS(on) = 9.1m freque

Другие IGBT... SST90R420S2, SST90R650S2, SST90R900S2, SSU65R420S2, SSU65R600S2, SSU70R1K2S2E, SSU70R600S2, SSU90R1K5S, 2N7000, SSW50R060S, SSW60R028S2E, SSW60R030SFD2, SSW60R040S2E, SSW60R043SFD2, SSW60R070S2E, SSW60R075SFD2, SSW60R099S2E