SSW4668 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSW4668
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 507 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 105 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm
Тип корпуса: TO247
SSW4668 Datasheet (PDF)
ssw4668.pdf
SUPER-SEMISUPER-MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor200V Power MOSFETSSW4668Rev. 1.0Nov. 2023www.supersemi.com.cnSSW4668200V N-Channel Power MOSFETDescription Features VDS 200VThe MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 130Athat is uniquely optimized to provide the most efficient high Typ. RDS(on) = 9.1mfreque
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918