SSW85R105SFD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSW85R105SFD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 470 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 850 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 95 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 194 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.105 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
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SSW85R105SFD Datasheet (PDF)
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SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor850V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySS*85R105SFDRev. 1.1Apr. 2023www.supersemi.com.cnSSW85R105SFD850V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ
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