SSW85R105SFD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSW85R105SFD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 470 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 850 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SSW85R105SFD
SSW85R105SFD Datasheet (PDF)
ssw85r105sfd.pdf
SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor850V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySS*85R105SFDRev. 1.1Apr. 2023www.supersemi.com.cnSSW85R105SFD850V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918