SSW85R105SFD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SSW85R105SFD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 470 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 850 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SSW85R105SFD
SSW85R105SFD Datasheet (PDF)
ssw85r105sfd.pdf
SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor850V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySS*85R105SFDRev. 1.1Apr. 2023www.supersemi.com.cnSSW85R105SFD850V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ
Другие MOSFET... SSW65R190SFD , SSW80R130S , SSW80R160S2 , SSW80R160SFD , SSW80R180S2 , SSW80R240S2 , SSW80R240SFD , SSW80R380S2 , 2SK3568 , SSW90R130S , SSW90R160S2 , SSW90R160SFD , SSW90R240S2 , SSW90R420S2 , SSZ65R022SFD3 , SSZ65R041SFD2 , SWB015R03VLT .
History: 2SK1163 | S10H06RN | 4N65L-TN3-R | STA6610 | LNA2306LT1G | 2SK210 | 7506
History: 2SK1163 | S10H06RN | 4N65L-TN3-R | STA6610 | LNA2306LT1G | 2SK210 | 7506
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet


