SSW85R105SFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSW85R105SFD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 470 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 850 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SSW85R105SFD Datasheet (PDF)
ssw85r105sfd.pdf

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor850V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySS*85R105SFDRev. 1.1Apr. 2023www.supersemi.com.cnSSW85R105SFD850V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: STM8362 | CHM4955JGP | MTB44P04J3 | IRFI4410Z | FL6L5201 | MTB070N11J3 | RSR025P03TL
History: STM8362 | CHM4955JGP | MTB44P04J3 | IRFI4410Z | FL6L5201 | MTB070N11J3 | RSR025P03TL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet