SWB015R03VLT Todos los transistores

 

SWB015R03VLT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWB015R03VLT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 298 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1440 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm

Encapsulados: TO263

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SWB015R03VLT datasheet

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SWB015R03VLT

SW015R03VLT N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features TO-263 BVDSS 30V High ruggedness ID 250A Low RDS(ON) (Typ 1.5m )@VGS=4.5V (Typ 1.2m )@VGS=10V RDS(ON) 1.5m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 315nC) 1.2m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 3 2 Application Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board,

Otros transistores... SSW85R105SFD , SSW90R130S , SSW90R160S2 , SSW90R160SFD , SSW90R240S2 , SSW90R420S2 , SSZ65R022SFD3 , SSZ65R041SFD2 , IRF520 , SWB020R03VLT , SWB030R04VT , SWB031R06ET , SWB036R10E8S , SWB042R10ES , SWB046R08E8T , SWB046R08E9T , SWB046R68E8T .

History: HM120N04 | IRF7306QPBF | 2SK1152S | AOU2N60A | 4N60L-TF1-T | IPP60R099P7

 

 

 

 

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