SWB015R03VLT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWB015R03VLT
   Código: SW015R03VLT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 298 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 250 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 315 nC
   Tiempo de subida (tr): 77 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1440 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

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SWB015R03VLT Datasheet (PDF)

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swb015r03vlt.pdf

SW015R03VLTN-channel Enhanced mode TO-263 MOSFETFeaturesTO-263BVDSS : 30V High ruggednessID : 250A Low RDS(ON) (Typ 1.5m)@VGS=4.5V(Typ 1.2m)@VGS=10VRDS(ON) : 1.5m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 315nC)1.2m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested232 Application:Synchronous Rectification,Li Battery Protect Board,

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Liste

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