SWB015R03VLT Todos los transistores

 

SWB015R03VLT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWB015R03VLT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 298 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SWB015R03VLT Datasheet (PDF)

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SWB015R03VLT

SW015R03VLTN-channel Enhanced mode TO-263 MOSFETFeaturesTO-263BVDSS : 30V High ruggednessID : 250A Low RDS(ON) (Typ 1.5m)@VGS=4.5V(Typ 1.2m)@VGS=10VRDS(ON) : 1.5m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 315nC)1.2m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested232 Application:Synchronous Rectification,Li Battery Protect Board,

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History: PHD9NQ20T | TSM210N06CZ | FHU2N60A | BUK9Y30-75B | LNC06R230

 

 
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