Справочник MOSFET. SWB015R03VLT

 

SWB015R03VLT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWB015R03VLT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SWB015R03VLT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB015R03VLT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:795K  samwin
 swb015r03vlt.pdf pdf_icon

SWB015R03VLT

SW015R03VLTN-channel Enhanced mode TO-263 MOSFETFeaturesTO-263BVDSS : 30V High ruggednessID : 250A Low RDS(ON) (Typ 1.5m)@VGS=4.5V(Typ 1.2m)@VGS=10VRDS(ON) : 1.5m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 315nC)1.2m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested232 Application:Synchronous Rectification,Li Battery Protect Board,

Другие MOSFET... SSW85R105SFD , SSW90R130S , SSW90R160S2 , SSW90R160SFD , SSW90R240S2 , SSW90R420S2 , SSZ65R022SFD3 , SSZ65R041SFD2 , CS150N03A8 , SWB020R03VLT , SWB030R04VT , SWB031R06ET , SWB036R10E8S , SWB042R10ES , SWB046R08E8T , SWB046R08E9T , SWB046R68E8T .

History: BUK7Y9R9-80E | AP02N60I | STT3PF20V | 2SK523 | AO9926C | RFP4N06L | 2SK3510-ZJ

 

 
Back to Top

 


 
.