SWB015R03VLT - описание и поиск аналогов

 

SWB015R03VLT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWB015R03VLT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SWB015R03VLT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB015R03VLT даташит

 ..1. Size:795K  samwin
 swb015r03vlt.pdf pdf_icon

SWB015R03VLT

SW015R03VLT N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features TO-263 BVDSS 30V High ruggedness ID 250A Low RDS(ON) (Typ 1.5m )@VGS=4.5V (Typ 1.2m )@VGS=10V RDS(ON) 1.5m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 315nC) 1.2m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 3 2 Application Synchronous Rectification, Li Battery Protect Board,

Другие MOSFET... SSW85R105SFD , SSW90R130S , SSW90R160S2 , SSW90R160SFD , SSW90R240S2 , SSW90R420S2 , SSZ65R022SFD3 , SSZ65R041SFD2 , IRF520 , SWB020R03VLT , SWB030R04VT , SWB031R06ET , SWB036R10E8S , SWB042R10ES , SWB046R08E8T , SWB046R08E9T , SWB046R68E8T .

History: SWD051R08ES | AP9970GW | IXFT50N85XHV

 

 

 

 

↑ Back to Top
.