SWB020R03VLT Todos los transistores

 

SWB020R03VLT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWB020R03VLT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1018 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: TO263

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SWB020R03VLT datasheet

 ..1. Size:753K  samwin
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SWB020R03VLT

SW020R03VLT N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS 30V High ruggedness ID 180A Low RDS(ON) (Typ 3.6m )@VGS=4.5V (Typ 2.1m )@VGS=10V RDS(ON) 3.6m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 140nC) 2.1m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application Synchronous Rectification, Li B

Otros transistores... SSW90R130S , SSW90R160S2 , SSW90R160SFD , SSW90R240S2 , SSW90R420S2 , SSZ65R022SFD3 , SSZ65R041SFD2 , SWB015R03VLT , IRF2807 , SWB030R04VT , SWB031R06ET , SWB036R10E8S , SWB042R10ES , SWB046R08E8T , SWB046R08E9T , SWB046R68E8T , SWB050R95E8S .

History: RTR025P02TL

 

 

 

 

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