SWB020R03VLT - описание и поиск аналогов

 

SWB020R03VLT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWB020R03VLT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1018 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SWB020R03VLT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB020R03VLT даташит

 ..1. Size:753K  samwin
 swp020r03vlt swb020r03vlt.pdf pdf_icon

SWB020R03VLT

SW020R03VLT N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS 30V High ruggedness ID 180A Low RDS(ON) (Typ 3.6m )@VGS=4.5V (Typ 2.1m )@VGS=10V RDS(ON) 3.6m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 140nC) 2.1m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application Synchronous Rectification, Li B

Другие MOSFET... SSW90R130S , SSW90R160S2 , SSW90R160SFD , SSW90R240S2 , SSW90R420S2 , SSZ65R022SFD3 , SSZ65R041SFD2 , SWB015R03VLT , IRF2807 , SWB030R04VT , SWB031R06ET , SWB036R10E8S , SWB042R10ES , SWB046R08E8T , SWB046R08E9T , SWB046R68E8T , SWB050R95E8S .

History: 2SK1297 | 2SK3111 | IRF7313PBF-1 | SID10N30-600I | 4N65KL-TF3-T | IRF720SPBF | MMN400A006U1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.