Справочник MOSFET. SWB020R03VLT

 

SWB020R03VLT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWB020R03VLT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1018 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SWB020R03VLT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB020R03VLT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:753K  samwin
 swp020r03vlt swb020r03vlt.pdf pdf_icon

SWB020R03VLT

SW020R03VLTN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-263TO-220BVDSS : 30V High ruggednessID : 180A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=4.5V(Typ 2.1m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.6m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 140nC)2.1m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 112 100% Avalanche Tested 2233 Application:Synchronous Rectification,Li B

Другие MOSFET... SSW90R130S , SSW90R160S2 , SSW90R160SFD , SSW90R240S2 , SSW90R420S2 , SSZ65R022SFD3 , SSZ65R041SFD2 , SWB015R03VLT , IRFB31N20D , SWB030R04VT , SWB031R06ET , SWB036R10E8S , SWB042R10ES , SWB046R08E8T , SWB046R08E9T , SWB046R68E8T , SWB050R95E8S .

History: IXTH22N50P

 

 
Back to Top

 


 
.