Справочник MOSFET. SWB020R03VLT

 

SWB020R03VLT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWB020R03VLT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1018 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB020R03VLT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:753K  samwin
 swp020r03vlt swb020r03vlt.pdf pdf_icon

SWB020R03VLT

SW020R03VLTN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-263TO-220BVDSS : 30V High ruggednessID : 180A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=4.5V(Typ 2.1m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.6m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 140nC)2.1m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 112 100% Avalanche Tested 2233 Application:Synchronous Rectification,Li B

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MTNK3S3 | VSE002N03MS-G | 2SK1520 | 2SK3430-ZJ | SDFC40 | TMP11N50 | R6535KNZ1

 

 
Back to Top

 


 
.