STB416D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STB416D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TO263-5L

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STB416D datasheet

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STB416D

Green Product STB416D a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) RDS(ON) (m ) Max RDS(ON) (m ) Max VDSS ID VDSS ID 28 @ VGS=10V 36 @ VGS=-10V 40V 18A -40V -16A 43 @ VGS=4.5V 61 @ VGS=-4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S1 G1 D1/D2 S2 G2 S 1 N-ch S 2 P-ch STB SER

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