STB416D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STB416D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 15.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.5 nC
Время нарастания (tr): 12.2 ns
Выходная емкость (Cd): 78 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
Тип корпуса: TO263-5L
STB416D Datasheet (PDF)
..1. Size:268K samhop
stb416d.pdf
stb416d.pdf
GreenProductSTB416DaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID VDSS ID28 @ VGS=10V 36 @ VGS=-10V40V 18A -40V -16A43 @ VGS=4.5V 61 @ VGS=-4.5VD1 D2D1/D2G 1G 2S1G1D1/D2S2G2S 1 N-ch S 2 P-chSTB SER
Другие MOSFET... FDS4897C , STB432S , FDS4935A , FDS4935BZ , FDS5351 , FDS5670 , FDS5672 , FDS6294 , TK12A50D , FDS6298 , STB31L01 , FDS6574A , FDS6670AS , STA6968 , FDS6673BZ , FDS6673BZF085 , FDS6675BZ .
