STB416D - описание и поиск аналогов

 

STB416D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STB416D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO263-5L

Аналог (замена) для STB416D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB416D даташит

 ..1. Size:268K  samhop
 stb416d.pdf pdf_icon

STB416D

Green Product STB416D a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) RDS(ON) (m ) Max RDS(ON) (m ) Max VDSS ID VDSS ID 28 @ VGS=10V 36 @ VGS=-10V 40V 18A -40V -16A 43 @ VGS=4.5V 61 @ VGS=-4.5V D1 D2 D1/D2 G 1 G 2 S1 G1 D1/D2 S2 G2 S 1 N-ch S 2 P-ch STB SER

Другие MOSFET... FDS4897C , STB432S , FDS4935A , FDS4935BZ , FDS5351 , FDS5670 , FDS5672 , FDS6294 , AON7403 , FDS6298 , STB31L01 , FDS6574A , FDS6670AS , STA6968 , FDS6673BZ , FDS6673BZF085 , FDS6675BZ .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.