Справочник MOSFET. STB416D

 

STB416D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STB416D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO263-5L
 

 Аналог (замена) для STB416D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STB416D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  samhop
 stb416d.pdf pdf_icon

STB416D

GreenProductSTB416DaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID VDSS ID28 @ VGS=10V 36 @ VGS=-10V40V 18A -40V -16A43 @ VGS=4.5V 61 @ VGS=-4.5VD1 D2D1/D2G 1G 2S1G1D1/D2S2G2S 1 N-ch S 2 P-chSTB SER

Другие MOSFET... FDS4897C , STB432S , FDS4935A , FDS4935BZ , FDS5351 , FDS5670 , FDS5672 , FDS6294 , EMB04N03H , FDS6298 , STB31L01 , FDS6574A , FDS6670AS , STA6968 , FDS6673BZ , FDS6673BZF085 , FDS6675BZ .

History: STD12L01 | 3SK62 | FQA7N80CF109 | SPB100N08S2-07

 

 
Back to Top

 


 
.