SWB10N65K2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWB10N65K2
Código: SW10N65K2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 183.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 21 nC
Tiempo de subida (tr): 32 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 38 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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SWB10N65K2 Datasheet (PDF)
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SW10N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-252/TO-263 MOSFET Features TO-220F TO-252 TO-263 BVDSS : 650V High ruggedness ID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.3)@VGS=10V RDS(ON) : 0.3 Low Gate Charge (Typ 21nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 1 Application: Charge, LED, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Sou
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