Справочник MOSFET. SWB10N65K2

 

SWB10N65K2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWB10N65K2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 183.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB10N65K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:952K  samwin
 swf10n65k2 swd10n65k2 swb10n65k2.pdf pdf_icon

SWB10N65K2

SW10N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-252/TO-263 MOSFET Features TO-220F TO-252 TO-263 BVDSS : 650V High ruggedness ID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.3)@VGS=10V RDS(ON) : 0.3 Low Gate Charge (Typ 21nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 1 Application: Charge, LED, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Sou

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: R6507ENX | IXTT360N055T2 | WMK18N50C4 | PTD7N65 | SQ3481EV | BUK9K35-60E | KRF7401

 

 
Back to Top

 


 
.