SWB10N65K2 - описание и поиск аналогов

 

SWB10N65K2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWB10N65K2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 183.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SWB10N65K2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB10N65K2 даташит

 ..1. Size:952K  samwin
 swf10n65k2 swd10n65k2 swb10n65k2.pdf pdf_icon

SWB10N65K2

SW10N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-252/TO-263 MOSFET Features TO-220F TO-252 TO-263 BVDSS 650V High ruggedness ID 10A Low RDS(ON) (Typ 0.3 )@VGS=10V RDS(ON) 0.3 Low Gate Charge (Typ 21nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 1 Application Charge, LED, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Sou

Другие MOSFET... SWB075R08E7T , SWB076R68E7T , SWB078R08ET , SWB085R68E7T , SWB086R68E7T , SWB088R06VT , SWB088R08E8T , SWB090R08ET , IRF740 , SWB13N65K2 , SWB16N70K , SWB640D , SWB7N65DW , SWC1N60 , SWC2N40D , SWD020R03VLT , SWD026R03VT .

History: SWD70N10V | SWD7N60K2F | HY3410MF | SWD6N65K | STD448S | STW43NM60N | JMSH0606AG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.