SWB640D Todos los transistores

 

SWB640D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWB640D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO263

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SWB640D datasheet

 ..1. Size:1088K  samwin
 swp640d swy640d swb640d.pdf pdf_icon

SWB640D

SW640D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220FT/TO-263 MOSFET TO-220 TO-220FT TO-263 BVDSS 200V Features ID 18A High ruggedness RDS(ON) 0.15 Low RDS(ON) (Typ 0.15 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 38nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 2 3 3 3 Application LED , Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Sour

Otros transistores... SWB085R68E7T , SWB086R68E7T , SWB088R06VT , SWB088R08E8T , SWB090R08ET , SWB10N65K2 , SWB13N65K2 , SWB16N70K , IRF540N , SWB7N65DW , SWC1N60 , SWC2N40D , SWD020R03VLT , SWD026R03VT , SWD030R03VLT , SWD030R04VT , SWD040R03VLT .

History: IRF7351PBF | SWD026R03VT | 4N60G-TN3-R | EMB12N04V | SWF10N65D | AOWF2606 | AP01L60H-HF

 

 

 

 

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