SWB640D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWB640D
Código: SW640D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 110.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 38 nC
Tiempo de subida (tr): 57 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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SWB640D Datasheet (PDF)
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SW640D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220FT/TO-263 MOSFET TO-220 TO-220FT TO-263 BVDSS : 200V Features ID : 18A High ruggedness RDS(ON) : 0.15 Low RDS(ON) (Typ 0.15)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 38nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 2 3 3 3 Application: LED , Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Sour
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