SWB640D - описание и поиск аналогов

 

SWB640D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWB640D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SWB640D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB640D даташит

 ..1. Size:1088K  samwin
 swp640d swy640d swb640d.pdf pdf_icon

SWB640D

SW640D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220FT/TO-263 MOSFET TO-220 TO-220FT TO-263 BVDSS 200V Features ID 18A High ruggedness RDS(ON) 0.15 Low RDS(ON) (Typ 0.15 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 38nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 2 3 3 3 Application LED , Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Sour

Другие MOSFET... SWB085R68E7T , SWB086R68E7T , SWB088R06VT , SWB088R08E8T , SWB090R08ET , SWB10N65K2 , SWB13N65K2 , SWB16N70K , IRF540N , SWB7N65DW , SWC1N60 , SWC2N40D , SWD020R03VLT , SWD026R03VT , SWD030R03VLT , SWD030R04VT , SWD040R03VLT .

History: EMB12N04V | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | 4N60G-TN3-R | SWD070R08E7T | SWF10N65D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.