SWB7N65DW Todos los transistores

 

SWB7N65DW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWB7N65DW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 179 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 127 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SWB7N65DW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:669K  samwin
 swb7n65dw.pdf pdf_icon

SWB7N65DW

SW7N65DW N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features BVDSS : 650V TO-263 ID : 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.96)@VGS=10V RDS(ON) : 0.96 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power

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History: DG10N60-TO220F | HMS85N95D | FQD50N06 | 6N60A | HSP150N02 | B5N65 | IPD320N20N3

 

 
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