SWB7N65DW - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SWB7N65DW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 127 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SWB7N65DW
SWB7N65DW Datasheet (PDF)
swb7n65dw.pdf

SW7N65DW N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features BVDSS : 650V TO-263 ID : 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.96)@VGS=10V RDS(ON) : 0.96 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power
Другие MOSFET... SWB086R68E7T , SWB088R06VT , SWB088R08E8T , SWB090R08ET , SWB10N65K2 , SWB13N65K2 , SWB16N70K , SWB640D , IRF540N , SWC1N60 , SWC2N40D , SWD020R03VLT , SWD026R03VT , SWD030R03VLT , SWD030R04VT , SWD040R03VLT , SWD046R68E8T .
History: QM4306D | CS15N70F | ISCNH371D
History: QM4306D | CS15N70F | ISCNH371D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412