SWB7N65DW - описание и поиск аналогов

 

SWB7N65DW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWB7N65DW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 127 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SWB7N65DW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB7N65DW даташит

 ..1. Size:669K  samwin
 swb7n65dw.pdf pdf_icon

SWB7N65DW

SW7N65DW N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features BVDSS 650V TO-263 ID 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.96 )@VGS=10V RDS(ON) 0.96 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power

Другие MOSFET... SWB086R68E7T , SWB088R06VT , SWB088R08E8T , SWB090R08ET , SWB10N65K2 , SWB13N65K2 , SWB16N70K , SWB640D , IRF540 , SWC1N60 , SWC2N40D , SWD020R03VLT , SWD026R03VT , SWD030R03VLT , SWD030R04VT , SWD040R03VLT , SWD046R68E8T .

History: NCE60R360D | IRF7326D2PBF | NCE60R360F | SGM3055 | RTR025N05FRA | 2SK1013 | S2N7002K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.