SWC1N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWC1N60
Código: SW1N60D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 6.8 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 32 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 8.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
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SWC1N60 Datasheet (PDF)
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SW1N60D N-channel Enhanced TO-251/TO-92/TO251S MOSFET Features BVDSS : 600V TO-251 TO-92 TO-251S ID : 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 6.6)@VGS=10V RDS(ON) : 6.6 Low Gate Charge (Typ 6.8nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 Application:Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 1
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