SWC1N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWC1N60
   Código: SW1N60D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

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SWC1N60 Datasheet (PDF)

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swi1n60 swc1n60.pdf

SW1N60D N-channel Enhanced TO-251/TO-92/TO251S MOSFET Features BVDSS : 600V TO-251 TO-92 TO-251S ID : 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 6.6)@VGS=10V RDS(ON) : 6.6 Low Gate Charge (Typ 6.8nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 Application:Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 1

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Liste

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