Справочник MOSFET. SWC1N60

 

SWC1N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWC1N60
   Маркировка: SW1N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для SWC1N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWC1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1087K  samwin
 swi1n60 swc1n60.pdf pdf_icon

SWC1N60

SW1N60D N-channel Enhanced TO-251/TO-92/TO251S MOSFET Features BVDSS : 600V TO-251 TO-92 TO-251S ID : 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 6.6)@VGS=10V RDS(ON) : 6.6 Low Gate Charge (Typ 6.8nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 Application:Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 1

Другие MOSFET... SWB088R06VT , SWB088R08E8T , SWB090R08ET , SWB10N65K2 , SWB13N65K2 , SWB16N70K , SWB640D , SWB7N65DW , 50N06 , SWC2N40D , SWD020R03VLT , SWD026R03VT , SWD030R03VLT , SWD030R04VT , SWD040R03VLT , SWD046R68E8T , SWD050R95E8S .

History: IRHM7250

 

 
Back to Top

 


 
.