SWC1N60 - описание и поиск аналогов

 

SWC1N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWC1N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для SWC1N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWC1N60 даташит

 ..1. Size:1087K  samwin
 swi1n60 swc1n60.pdf pdf_icon

SWC1N60

SW1N60D N-channel Enhanced TO-251/TO-92/TO251S MOSFET Features BVDSS 600V TO-251 TO-92 TO-251S ID 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 6.6 )@VGS=10V RDS(ON) 6.6 Low Gate Charge (Typ 6.8nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 Application Charger, Adaptor, LED 1. Gate 2. Drain 3. Source 1

Другие MOSFET... SWB088R06VT , SWB088R08E8T , SWB090R08ET , SWB10N65K2 , SWB13N65K2 , SWB16N70K , SWB640D , SWB7N65DW , 50N06 , SWC2N40D , SWD020R03VLT , SWD026R03VT , SWD030R03VLT , SWD030R04VT , SWD040R03VLT , SWD046R68E8T , SWD050R95E8S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.