SWD020R03VLT Todos los transistores

 

SWD020R03VLT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWD020R03VLT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 988 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SWD020R03VLT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:741K  samwin
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SWD020R03VLT

SW020R03VLTN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 30V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.1m)@VGS=4.5VID : 120A(Typ 2.1m)@VGS=10VRDS(ON) : 3.1m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 145nC) Improved dv/dt Capability 2.1m@VGS=10V1 100% Avalanche Tested23 Application:Synchronous Rectification,2Li Battery Protect Board,

 9.1. Size:621K  samwin
 swd026r03vt.pdf pdf_icon

SWD020R03VLT

SW026R03VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features BVDSS : 30V High ruggedness TO-252 Low RDS(ON) (Typ 3.5m)@VGS=4.5V ID : 80A (Typ 3.0m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.5m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 113nC) Improved dv/dt Capability 3.0m@VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 Application:DC-DC Converter, Inverter, 2 2 3 Synchron

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SM3433NHQG | VBM1151N | NDD05N50Z | NVD6495NL | 2SK1677 | IRHMK57260SE | 4N70L-TN3-R

 

 
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