SWD020R03VLT - описание и поиск аналогов

 

SWD020R03VLT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD020R03VLT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 988 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD020R03VLT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD020R03VLT даташит

 ..1. Size:741K  samwin
 swd020r03vlt.pdf pdf_icon

SWD020R03VLT

SW020R03VLT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 30V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.1m )@VGS=4.5V ID 120A (Typ 2.1m )@VGS=10V RDS(ON) 3.1m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 145nC) Improved dv/dt Capability 2.1m @VGS=10V 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application Synchronous Rectification, 2 Li Battery Protect Board,

 9.1. Size:621K  samwin
 swd026r03vt.pdf pdf_icon

SWD020R03VLT

SW026R03VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features BVDSS 30V High ruggedness TO-252 Low RDS(ON) (Typ 3.5m )@VGS=4.5V ID 80A (Typ 3.0m )@VGS=10V RDS(ON) 3.5m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 113nC) Improved dv/dt Capability 3.0m @VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 Application DC-DC Converter, Inverter, 2 2 3 Synchron

Другие MOSFET... SWB090R08ET , SWB10N65K2 , SWB13N65K2 , SWB16N70K , SWB640D , SWB7N65DW , SWC1N60 , SWC2N40D , IRFZ44 , SWD026R03VT , SWD030R03VLT , SWD030R04VT , SWD040R03VLT , SWD046R68E8T , SWD050R95E8S , SWD051R08ES , SWD055R03VT .

History: 2SK2855 | 4N65KL-TF3-T | IRF7313PBF-1 | AP03N40I-HF | MMN400A006U1 | IRF720SPBF | 2SK3111

 

 

 

 

↑ Back to Top
.