SWD026R03VT Todos los transistores

 

SWD026R03VT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWD026R03VT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 742 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de SWD026R03VT MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SWD026R03VT datasheet

 ..1. Size:621K  samwin
 swd026r03vt.pdf pdf_icon

SWD026R03VT

SW026R03VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features BVDSS 30V High ruggedness TO-252 Low RDS(ON) (Typ 3.5m )@VGS=4.5V ID 80A (Typ 3.0m )@VGS=10V RDS(ON) 3.5m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 113nC) Improved dv/dt Capability 3.0m @VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 Application DC-DC Converter, Inverter, 2 2 3 Synchron

 9.1. Size:741K  samwin
 swd020r03vlt.pdf pdf_icon

SWD026R03VT

SW020R03VLT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 30V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.1m )@VGS=4.5V ID 120A (Typ 2.1m )@VGS=10V RDS(ON) 3.1m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 145nC) Improved dv/dt Capability 2.1m @VGS=10V 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application Synchronous Rectification, 2 Li Battery Protect Board,

Otros transistores... SWB10N65K2 , SWB13N65K2 , SWB16N70K , SWB640D , SWB7N65DW , SWC1N60 , SWC2N40D , SWD020R03VLT , IRF640 , SWD030R03VLT , SWD030R04VT , SWD040R03VLT , SWD046R68E8T , SWD050R95E8S , SWD051R08ES , SWD055R03VT , SWD056R68E7T .

History: BRI5N65 | IPP60R180P7 | HCFL60R350 | 4N65G-TF3-T | SSW90R240S2 | SUD40N10-25 | AP01L60H-HF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.