SWD026R03VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD026R03VT
Código: SW026R03VT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 89.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.8 V
Carga de la puerta (Qg): 113 nC
Tiempo de subida (tr): 63 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 742 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWD026R03VT
SWD026R03VT Datasheet (PDF)
swd026r03vt.pdf
SW026R03VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features BVDSS : 30V High ruggedness TO-252 Low RDS(ON) (Typ 3.5m)@VGS=4.5V ID : 80A (Typ 3.0m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.5m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 113nC) Improved dv/dt Capability 3.0m@VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 Application:DC-DC Converter, Inverter, 2 2 3 Synchron
swd020r03vlt.pdf
SW020R03VLTN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 30V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.1m)@VGS=4.5VID : 120A(Typ 2.1m)@VGS=10VRDS(ON) : 3.1m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 145nC) Improved dv/dt Capability 2.1m@VGS=10V1 100% Avalanche Tested23 Application:Synchronous Rectification,2Li Battery Protect Board,
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