SWD026R03VT Todos los transistores

 

SWD026R03VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWD026R03VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 742 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de SWD026R03VT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SWD026R03VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:621K  samwin
 swd026r03vt.pdf pdf_icon

SWD026R03VT

SW026R03VT N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features BVDSS : 30V High ruggedness TO-252 Low RDS(ON) (Typ 3.5m)@VGS=4.5V ID : 80A (Typ 3.0m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.5m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 113nC) Improved dv/dt Capability 3.0m@VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 Application:DC-DC Converter, Inverter, 2 2 3 Synchron

 9.1. Size:741K  samwin
 swd020r03vlt.pdf pdf_icon

SWD026R03VT

SW020R03VLTN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 30V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 3.1m)@VGS=4.5VID : 120A(Typ 2.1m)@VGS=10VRDS(ON) : 3.1m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 145nC) Improved dv/dt Capability 2.1m@VGS=10V1 100% Avalanche Tested23 Application:Synchronous Rectification,2Li Battery Protect Board,

Otros transistores... SWB10N65K2 , SWB13N65K2 , SWB16N70K , SWB640D , SWB7N65DW , SWC1N60 , SWC2N40D , SWD020R03VLT , IRFP460 , SWD030R03VLT , SWD030R04VT , SWD040R03VLT , SWD046R68E8T , SWD050R95E8S , SWD051R08ES , SWD055R03VT , SWD056R68E7T .

History: SWI1N60 | DMT10N60 | AP10N10K

 

 
Back to Top

 


 
.